Développement de la gamme de réseaux de transistors très performants en adoptant les DMOS FET [1] pour le circuit d’attaque de sortie Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd’hui l ...

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT - Isolated Gate Bipolar Transistor) entre dans le domaine des grandes vitesses. L’un des spécialistes de ces composants électroniques de puissance, ...

Dans le cadre de l’IEDM, l’entreprise a fixé le cap de ses recherches pour les prochaines années. Au programme : des “Quasi-Monolithic Chips” ou encore des transistors avec un matériau de canal 2D de ...